MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A8G165WG-BCWE Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology e K4A8G165WG-BCWE por Samsung Electro-Mechanics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Ativo
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A8G165WG-BCWE
Marca Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,20 $29,53
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (1 GB) 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Interface Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
Status RoHS Compliant Compliant
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Taxa de dados — 3200 Mbps
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +85°C
Operating Current — 20 mA
Memory Interface — Parallel
Row Cycle Time (tRC) — 19 ns
Technology — B-die
Lead-Free — Yes
Status do ciclo de vida — Active

Fichas técnicas e recursos

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